продуктлар

Продуктлар

Кургашлы туктату

Кургашлы терминал - чылбыр ахырына урнаштырылган резистор, ул чылбырда тапшырылган сигналларны йота һәм сигналның чагылышына комачаулый, шуның белән чылбыр системасының тапшыру сыйфатына тәэсир итә. Кургашлы терминаллар шулай ук ​​SMD бер кургашлы терминал резисторлары буларак та билгеле. Ул чылбыр ахырына эретеп ябыштыру юлы белән урнаштырыла. Төп максаты - чылбыр ахырына тапшырылган сигнал дулкыннарын йоту, сигналның чагылышының чылбырга тәэсир итүен булдырмау һәм чылбыр системасының тапшыру сыйфатын тәэмин итү.


  • Төп техник характеристикалар:
  • Номиналь куәт:5-800 Вт
  • Субстрат материаллары:BeO, AlN, Al2O3
  • Номиналь каршылык кыйммәте:50Ω
  • Каршылык толерантлыгы:±5%, ±2%, ±1%
  • Эмпература коэффициенты:<150ppm/℃
  • Эш температурасы:-55~+150℃
  • ROHS стандарты:туры килә
  • Кургаш озынлыгы:L мәгълүмат кәгазендә күрсәтелгәнчә
  • Заказ буенча махсус дизайн тәкъдим ителә.:
  • Продукт детальләре

    Продукт теглары

    Кургашлы туктату

    Кургашлы туктату
    Төп техник характеристикалар:
    Номиналь куәт: 5-800 Вт;
    Субстрат материаллары: BeO, AlN, Al2O3
    Номиналь каршылык кыйммәте: 50Ω
    Каршылык толерантлыгы: ±5%, ±2%, ±1%
    температура коэффициенты: <150ppm/℃
    Эш температурасы: -55~+150℃
    ROHS стандарты: туры килә
    Кулланыла торган стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Сызык озынлыгы: мәгълүмат кәгазендә күрсәтелгәнчә L
    (клиент таләпләренә туры китереп көйләнергә мөмкин)

    1 нче бәя
    Көч(W) Ешлык Үлчәмнәр (берәмлек: мм) СубстратМатериал Мәгълүматлар таблицасы (PDF)
    A B H G W L
    5W 6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
    11 ГГц 1.27 2.54 0,5 1.0 0.8 3.0 AlN     RFT50N-05TJ1225
    10 Вт 4 ГГц 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-10TM2550
    6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
    8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM0404
    10 ГГц 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5035
    18 ГГц 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5023
    20 Вт 4 ГГц 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-20TM2550
    6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
    8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM0404
    10 ГГц 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5035
    18 ГГц 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5023
    30 Вт 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN     RFT50N-30TJ0606
    6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-30TM0606
    60 Вт 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN     RFT50N-60TJ0606
    6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TM0606
    6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TJ6363
    100 Вт 3 ГГц 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 AlN     RFT50N-100TJ6395
    8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 AlN     RFT50N-100TJ8957
    9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ9595
    4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ1010
    6 ГГц 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ6363
    8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 AlN     RFT50N-100TJ8957B
         
    8 ГГц 9.0 6.0 1.5 2.0 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ0906C
    150 Вт 3 ГГц 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 AlN     RFT50N-150TJ6395
    9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ9595
    4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010
    6 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010B
    200 Вт 3 ГГц 9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ9595
     
    4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ1010
    10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-200TM1313B
    250 Вт 3 ГГц 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1210
    10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1313B
    300 Вт 3 ГГц 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1210
    10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1313B
    400 Вт 2 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-400TM1313
    500 Вт 2 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-500TM1313
    800 Вт 1 ГГц 25.4 25.4 3.2 4 6 7 BeO     RFT50-800TM2525

    Гомуми күзәтү

    Кургашлы терминал төрле ешлык таләпләренә һәм көч таләпләренә нигезләнеп, каршылык, схема бастыру һәм блендерлау аша тиешле субстрат зурлыгын һәм материалларын сайлау юлы белән эшләнә. Еш кулланыла торган субстрат материаллары, нигездә, бериллий оксиды, алюминий нитриды, алюминий оксиды яки яхшырак җылылык тарату материаллары булырга мөмкин.

    Кургашлы терминал, юка пленкалы процесс һәм калын пленкалы процесс дип бүленә. Ул билгеле бер көч һәм ешлык таләпләренә нигезләнеп эшләнә, аннары процесс дәвамында эшкәртелә. Әгәр сезнең махсус ихтыяҗларыгыз булса, зинһар, шәхсиләштерү өчен махсус чишелешләр тәкъдим итү өчен безнең сату хезмәткәрләре белән элемтәгә керегез.


  • Алдагысы:
  • Киләсе: