Продуктлар
Чипны туктату
Чипны туктату (А төре)
Чипны туктату
Төп техник характеристикалар:
Номиналь куәт: 10-500 Вт;
Субстрат материаллары: BeO, AlN, Al2O3
Номиналь каршылык кыйммәте: 50Ω
Каршылык толерантлыгы: ±5%, ±2%, ±1%
температура коэффициенты: <150ppm/℃
Эш температурасы: -55～+150℃
ROHS стандарты: туры килә
Кулланыла торган стандарт: Q/RFTYTR001-2022
| Көч(W) | Ешлык | Үлчәмнәр (берәмлек: мм) | СубстратМатериал | Конфигурация | Мәгълүматлар таблицасы (PDF) | ||||||
| A | B | C | D | E | F | G | |||||
| 10 Вт | 6 ГГц | 2.5 | 5.0 | 0.7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | AlN | 2 нче рәсем | RFT50N-10CT2550 |
| 10 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0,76 | 1.40 | BeO | 1 нче рәсем | RFT50-10CT0404 | |
| 12 Вт | 12 ГГц | 1.5 | 3 | 0,38 | 1.4 | / | 0,46 | 1.22 | AlN | 2 нче рәсем | RFT50N-12CT1530 |
| 20 Вт | 6 ГГц | 2.5 | 5.0 | 0.7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | AlN | 2 нче рәсем | RFT50N-20CT2550 |
| 10 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0,76 | 1.40 | BeO | 1 нче рәсем | RFT50-20CT0404 | |
| 30 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | AlN | 1 нче рәсем | RFT50N-30CT0606 |
| 60 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | AlN | 1 нче рәсем | RFT50N-60CT0606 |
| 100 Вт | 5 ГГц | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | BeO | 1 нче рәсем | RFT50-100CT6363 |
Чипны туктату (В төре)
Чипны туктату
Төп техник характеристикалар:
Номиналь куәт: 10-500 Вт;
Субстрат материаллары: BeO, AlN
Номиналь каршылык кыйммәте: 50Ω
Каршылык толерантлыгы: ±5%, ±2%, ±1%
температура коэффициенты: <150ppm/℃
Эш температурасы: -55～+150℃
ROHS стандарты: туры килә
Кулланыла торган стандарт: Q/RFTYTR001-2022
Паяпкыч тоташтыргычы зурлыгы: спецификация битен карагыз
(клиент таләпләренә туры китереп көйләнергә мөмкин)
| Көч(W) | Ешлык | Үлчәмнәр (берәмлек: мм) | СубстратМатериал | Мәгълүматлар таблицасы (PDF) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 10 Вт | 6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | AlN | RFT50N-10WT0404 |
| 8 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | BeO | RFT50-10WT0404 | |
| 10 ГГц | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0.6 | 1.0 | BeO | RFT50-10WT5025 | |
| 20 Вт | 6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | AlN | RFT50N-20WT0404 |
| 8 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | BeO | RFT50-20WT0404 | |
| 10 ГГц | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0.6 | 1.0 | BeO | RFT50-20WT5025 | |
| 30 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-30WT0606 |
| 60 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-60WT0606 |
| 100 Вт | 3 ГГц | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | AlN | RFT50N-100WT8957 |
| 6 ГГц | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | AlN | RFT50N-100WT8957B | |
| 8 ГГц | 9.0 | 6.0 | 1.4 | 1.1 | 1.5 | BeO | RFT50N-100WT0906C | |
| 150 Вт | 3 ГГц | 6.35 | 9.5 | 2.0 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-150WT6395 |
| 9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | BeO | RFT50-150WT9595 | ||
| 4 ГГц | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-150WT1010 | |
| 6 ГГц | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-150WT1010B | |
| 200 Вт | 3 ГГц | 9.55 | 5.7 | 2.4 | 1.0 | 1.0 | AlN | RFT50N-200WT9557 |
| 9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | BeO | RFT50-200WT9595 | ||
| 4 ГГц | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-200WT1010 | |
| 10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-200WT1313B | |
| 250 Вт | 3 ГГц | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | BeO | RFT50-250WT1210 |
| 10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-250WT1313B | |
| 300 Вт | 3 ГГц | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | BeO | RFT50-300WT1210 |
| 10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-300WT1313B | |
| 400 Вт | 2 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-400WT1313 |
| 500 Вт | 2 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-500WT1313 |
Гомуми күзәтү
Чип терминалы резисторлары төрле көч һәм ешлык таләпләренә нигезләнеп, тиешле зурлыкларны һәм субстрат материалларын сайларга тиеш. Субстрат материаллары, гадәттә, каршылык һәм схема бастыру аша бериллий оксидыннан, алюминий нитридыннан һәм алюминий оксидыннан ясала.
Чип терминалы резисторлары төрле стандарт зурлыкларда һәм көч вариантларында булган юка пленкаларга яки калын пленкаларга бүленергә мөмкин. Шулай ук, без клиент таләпләренә туры китереп, шәхси чишелешләр алу өчен безнең белән элемтәгә керә алабыз.
Өслеккә урнаштыру технологиясе (SMT) - электрон компонентларны төрүнең киң таралган формасы, ул гадәттә схема платаларын өслеккә урнаштыру өчен кулланыла. Чип резисторлары - токны чикләү, схема импедансын һәм җирле көчәнешне көйләү өчен кулланыла торган бер төр резистор.
Гадәти розетка резисторларыннан аермалы буларак, патч-терминаль резисторларны схема тактасына розеткалар аша тоташтырырга кирәк түгел, алар турыдан-туры схема тактасы өслегенә ябыштырылган. Бу төргәкләү формасы схема такталарының компактлыгын, эшләвен һәм ышанычлылыгын яхшыртырга ярдәм итә.
Чип терминалы резисторлары төрле көч һәм ешлык таләпләренә нигезләнеп, тиешле зурлыкларны һәм субстрат материалларын сайларга тиеш. Субстрат материаллары, гадәттә, каршылык һәм схема бастыру аша бериллий оксидыннан, алюминий нитридыннан һәм алюминий оксидыннан ясала.
Чип терминалы резисторлары төрле стандарт зурлыкларда һәм көч вариантларында булган юка пленкаларга яки калын пленкаларга бүленергә мөмкин. Шулай ук, без клиент таләпләренә туры китереп, шәхси чишелешләр алу өчен безнең белән элемтәгә керә алабыз.
Безнең компания профессиональ проектлау һәм симуляция эшләү өчен халыкара гомуми HFSS программа тәэминатын куллана. Электр энергиясенең ышанычлылыгын тәэмин итү өчен махсуслаштырылган электр энергиясе җитештерү экспериментлары үткәрелде. Аның эш күрсәткечләрен тикшерү һәм экранлаштыру өчен югары төгәллекле челтәр анализаторлары кулланылды, нәтиҗәдә ышанычлы эш нәтиҗәләре алынды.
Безнең компания төрле зурлыктагы, төрле куәттәге (мәсәлән, төрле куәттәге 2W-800W терминал резисторлары) һәм төрле ешлыктагы (мәсәлән, 1G-18GHz терминал резисторлары) өслеккә урнаштырыла торган терминал резисторларын эшләде һәм проектлады. Клиентларны билгеле бер куллану таләпләренә туры китереп сайларга һәм кулланырга чакырабыз.
Өслеккә урнаштырыла торган кургашсыз терминал резисторлары, шулай ук өслеккә урнаштырыла торган кургашсыз резисторлар дип тә атала, миниатюрлаштырылган электрон компонент. Аның үзенчәлеге шунда ки, анда традицион чыбыклар юк, ләкин SMT технологиясе аша турыдан-туры схема платасына тоташтырылган.
Бу төр резистор гадәттә кечкенә зурлык һәм җиңел авырлык кебек өстенлекләргә ия, бу югары тыгызлыктагы схема платасын проектлауны тәэмин итә, урынны экономияли һәм гомуми система интеграциясен яхшырта. Чыбыклар җитмәү сәбәпле, аларның паразит индуктивлыгы һәм сыйдырышлыгы да түбәнрәк, бу югары ешлыклы кушымталар өчен бик мөһим, сигнал комачаулавын киметә һәм схема эшчәнлеген яхшырта.
SMT кургашсыз терминал резисторларын урнаштыру процессы чагыштырмача гади, һәм җитештерү нәтиҗәлелеген арттыру өчен партияле урнаштыру автоматлаштырылган җиһазлар аша башкарылырга мөмкин. Аның җылылык тарату күрсәткечләре яхшы, бу резистор эшләгәндә барлыкка килгән җылылыкны нәтиҗәле рәвештә киметә һәм ышанычлылыкны арттыра ала.
Моннан тыш, бу типтагы резистор югары төгәллеккә ия һәм төрле куллану таләпләренә катгый каршылык күрсәткечләре белән җавап бирә ала. Алар электрон продуктларда, мәсәлән, пассив компонентларда, радиоешлык изоляторларында, тоташтыргычларда, коаксиаль йөкләнешләрдә һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла.
Гомумән алганда, SMT кургашсыз терминал резисторлары кечкенә үлчәмнәре, яхшы югары ешлыклы эшләве һәм җиңел урнаштыруы аркасында заманча электрон дизайнның аерылгысыз өлешенә әйләнде.
