продуктлар

Продукция

Leadитәкчелек

Куркынычсыз туктату - схема ахырында урнаштырылган резистор, ул схемада җибәрелгән сигналларны үзләштерә һәм сигнал чагылышын булдырмый, шуның белән схема системасының тапшыру сыйфатын тәэсир итә.

Әйдәп баручы терминаллар шулай ук ​​SMD бер корыч терминал резисторлары буларак та билгеле.Ул эретеп эретеп, схема ахырында урнаштырылган.Төп максат - схема ахырына җибәрелгән сигнал дулкыннарын үзләштерү, сигнал чагылышының схемага тәэсир итмәве һәм схема системасының тапшыру сыйфатын тәэмин итү.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Leadитәкчелек

Leadитәкчелек
Төп техник үзенчәлекләр :
Бәяләнгән көч : 5-800W ;
Субстрат материаллар : BeO 、 AlN 、 Al2O3
Номиналь каршылык бәясе : 50Ω
Каршылык толерантлыгы : ± 5% 、 ± 2% 、 ± 1%
император коэффициенты : p 150ppm / ℃
Эш температурасы : -55 ~ + 150 ℃
ROHS стандарты: туры килә
Кулланыла торган стандарт: Q / RFTYTR001-2022
Куркынычсызлык озынлыгы: L мәгълүматлар таблицасында күрсәтелгәнчә
(клиент таләпләренә туры китереп көйләнергә мөмкин)

Бәяләнгән1
Көч(W) Ешлык Ensionsлчәмнәре (берәмлек: мм) СубстратМатериал Мәгълүматлар таблицасы (PDF)
A B H G W L
5W 6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
11 ГГц 1.27 2.54 0,5 1.0 0.8 3.0 AlN     RFT50N-05TJ1225
10W 4 ГГц 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-10TM2550
6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM0404
10 ГГц 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5035
18 ГГц 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5023
20W 4 ГГц 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-20TM2550
6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM0404
10 ГГц 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5035
18 ГГц 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5023
30W 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN     RFT50N-30TJ0606
6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-30TM0606
60W 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN     RFT50N-60TJ0606
6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TM0606
6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TJ6363
100Вт 3ГГц 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 AlN     RFT50N-100TJ6395
8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 AlN     RFT50N-100TJ8957
9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ9595
4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ1010
6 ГГц 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ6363
8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 AlN     RFT50N-100TJ8957B
     
8 ГГц 9.0 6.0 1.5 2.0 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ0906C
150Вт 3ГГц 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 AlN     RFT50N-150TJ6395
9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ9595
4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010
6 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010B
200Вт 3ГГц 9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ9595
 
4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ1010
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-200TM1313B
250Вт 3ГГц 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1210
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1313B
300W 3ГГц 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1210
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1313B
400Вт 2 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-400TM1313
500Вт 2 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-500TM1313
800Вт 1 ГГц 25.4 25.4 3.2 4 6 7 BeO     RFT50-800TM2525

Гомуми күзәтү

Әйдәп баручы туктату, төрле ешлык таләпләренә һәм көч таләпләренә нигезләнеп, субстрат зурлыгын һәм материалларны сайлап, каршылык, схема бастыру һәм синтеринг аша ясала.Гадәттә кулланыла торган субстрат материаллар, нигездә, бериллий оксиды, алюминий нитрид, алюминий оксиды яки яхшырак җылылык тарату материаллары булырга мөмкин.

Нечкә кино процессына һәм калын кино процессына бүленгән әйдәп баручы.Ул конкрет көч һәм ешлык таләпләренә нигезләнеп эшләнгән, аннары процесс аша эшкәртелә.Сезнең махсус ихтыяҗларыгыз булса, зинһар өчен, безнең сату персоналына мөрәҗәгать итегез.


  • Алдагы:
  • Алга:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез