продуктлар

Продуктлар

Чип бетү

Чип бетү - электрон компонент факеллауның уртак формасы, гадәттә, район такталар өстендә кулланыла. Чип резисторлары - агымдагы резистор, резюмаль имписторлар, политик вольтага кадәр .un ул схема розетка рецистатлары, пач терминалы розиторлар розитлар аша район тактасына тоташырга кирәк түгел, ләкин район тактасы өслегенә турыдан-туры таратылырга тиеш түгел. Бу төрү формасы компактны, спектакльне һәм район такталарының ышанычлылыгын яхшыртырга ярдәм итә.


  • Төп Техник төрләр:
  • Көчле көч:10-500w
  • Субстрат материаллар:Бео, Алн, Аль2о3
  • Номиналь каршылык бәясе:50ω
  • Каршылык толерантлыгы:± 5%, ± 2%, ± 1%
  • Эмпература коэффициенты:<150ppm / ℃
  • Тегү температурасы:-55 ~ + 150 ℃
  • Рохлар стандарт:Туры килә
  • Сорау буенча махсус дизайн .:
  • Продукция җентекты

    Продукция теглары

    Чипны туктату (а)

    Чип бетү
    Төп Техник төрләр:
    Көчле көч: 10-500W;
    Субстрат материаллар: бео, Алн, AL2o3
    Номиналь каршылык бәясе: 50ω
    Каршылык толерантлыгы: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Эмпература коэффициенты: <150ppm / ℃
    Операция температурасы: -55 ~ + 150 ℃
    Рохлар стандарты: туры килү
    Кулланылган стандарт: Q / RFTYTR001-2022

    Asdxzc1
    Көч(W) Ешлык Үлчәмнәр (берәмлек: мм)   СубстратМатериал Конфигурация Мәгълүмат таблицасы (PDF)
    A B C D E F G
    10w 6гз 2.5 5.0 0.7 2.4 / 1.0 2.0 ALN 2 нче рәсем     Rft50n-10ct2550
    10ггц 4.0 4.0 1.0 1.27 2.6 0.76 1.40 Бео 1 нче рәсем     Rft500ct0404
    12В 12ГС 1.5 3 0.38 1.4 / 0.46 1.22 ALN 2 нче рәсем     Rft50n-12ct1530
    20w 6гз 2.5 5.0 0.7 2.4 / 1.0 2.0 ALN 2 нче рәсем     RFT50N-20КТ2550
    10ггц 4.0 4.0 1.0 1.27 2.6 0.76 1.40 Бео 1 нче рәсем     Rft50-20tct0404
    30w 6гз 6.0 6.0 1.0 1.3 3.3 0.76 1.8 ALN 1 нче рәсем     RFT50N-30К0606
    60W 6гз 6.0 6.0 1.0 1.3 3.3 0.76 1.8 ALN 1 нче рәсем     RFT50N-60CT0606
    100W 5ГС 6.35 6.35 1.0 1.3 3.3 0.76 1.8 Бео 1 нче рәсем     Rft50-100ct6363

    Чипны туктату (В тибы)

    Чип бетү
    Төп Техник төрләр:
    Көчле көч: 10-500W;
    Субстрат материаллар: бео, Альн
    Номиналь каршылык бәясе: 50ω
    Каршылык толерантлыгы: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Эмпература коэффициенты: <150ppm / ℃
    Операция температурасы: -55 ~ + 150 ℃
    Рохлар стандарты: туры килү
    Кулланылган стандарт: Q / RFTYTR001-2022
    Сельдер уртак зурлыгы: спецификация таблицасын кара
    (клиент таләпләренә карап көйләнә)

    图片 1
    Көч(W) Ешлык Үлчәмнәр (берәмлек: мм) СубстратМатериал Мәгълүмат таблицасы (PDF)
    A B C D H
    10w 6гз 4.0 4.0 1.1 0.9 1.0 ALN     Rft50n-10wt0404
    8ГС 4.0 4.0 1.1 0.9 1.0 Бео     Rft50-104044
    10ггц 5.0 2.5 1.1 0.6 1.0 Бео     Rft50-1045
    20w 6гз 4.0 4.0 1.1 0.9 1.0 ALN     Rft50n-20wt0404
    8ГС 4.0 4.0 1.1 0.9 1.0 Бео     Rft50-20wt0404
    10ггц 5.0 2.5 1.1 0.6 1.0 Бео     Rft50-20wt5025
    30w 6гз 6.0 6.0 1.1 1.1 1.0 ALN     Rft50n-30wt0606
    60W 6гз 6.0 6.0 1.1 1.1 1.0 ALN     Rft50n-60wt0606
    100W 3ГС 8.9 5.7 1.8 1.2 1.0 ALN     Rft50n-100wt8957
    6гз 8.9 5.7 1.8 1.2 1.0 ALN     Rft50n-100wt8957b
    8ГС 9.0 6.0 1.4 1.1 1.5 Бео     Rft50n-100wt0906С
    150w 3ГС 6.35 9.5 2.0 1.1 1.0 ALN     Rft50n-150wt6395
    9.5 9.5 2.4 1.5 1.0 Бео     Rft50-150wt9595
    4хц 10.0 10.0 2.6 1.7 1.5 Бео     Rft50-150wt1010
    6гз 10.0 10.0 2.6 1.7 1.5 Бео     Rft50-150wt1010б
    200w 3ГС 9.55 5.7 2.4 1.0 1.0 ALN     Rft50n-200wt9557
    9.5 9.5 2.4 1.5 1.0 Бео     Rft50-200wt9595
    4хц 10.0 10.0 2.6 1.7 1.5 Бео     Rft50-200wt1010
    10ггц 12.7 12.7 2.5 1.7 2.0 Бео     Rft50-200wt1313b
    250W 3ГС 12.0 10.0 1.5 1.5 1.5 Бео     Rft50-250wt1210
    10ггц 12.7 12.7 2.5 1.7 2.0 Бео     Rft50-250wt1313b
    300w 3ГС 12.0 10.0 1.5 1.5 1.5 Бео     RFT50-300wt1210
    10ггц 12.7 12.7 2.5 1.7 2.0 Бео     RFT50-300wt1313b
    400w 2гц 12.7 12.7 2.5 1.7 2.0 Бео     Rft50-400wt1313
    500w 2гц 12.7 12.7 2.5 1.7 2.0 Бео     Rft50-5wt1313

    Гомуми күзәтү

    Чип Терезер резисторлары төрле энергиягә һәм ешлык таләпләренә нигезләнеп тиешле зурлыкларны һәм субсюль материалларны сайлау таләп итә. Субструктура материаллары, гадәттә, Бериллий оксиды, алюминий Нитридтан ясалган, һәм алюминий оксиды каршы һәм район бастыру аша.

    Чип терминалы резисторларына нечкә фильмнарга яки калын фильмнарга бүленергә мөмкин, төрле стандарт зурлык һәм көч вариантлары белән. Без шулай ук ​​клиент таләпләренә карап махсуслаштырылган карарлар өчен элемтәгә керә алабыз.

    Surfaceгары технологияләр (СМТ) өслеге электрон компонент пакетының уртак формасы, гадәттә, район такталар өстендә кулланыла. Чип резисторлары - агымның бер төре, агымдагы схема импедансын һәм җирле көчәнешне чикләү өчен кулланылган бер төр.

    Традицион розкастан аермалы буларак, пач терминалы резисторларга розитлар аша район тактасына тоташырга кирәк түгел, ләкин район тактасы өслегенә турыдан-туры таратыла. Бу төрү формасы компактны, спектакльне һәм район такталарының ышанычлылыгын яхшыртырга ярдәм итә.

    Чип Терезер резисторлары төрле энергиягә һәм ешлык таләпләренә нигезләнеп тиешле зурлыкларны һәм субсюль материалларны сайлау таләп итә. Субструктура материаллары, гадәттә, Бериллий оксиды, алюминий Нитридтан ясалган, һәм алюминий оксиды каршы һәм район бастыру аша.

    Чип терминалы резисторларына нечкә фильмнарга яки калын фильмнарга бүленергә мөмкин, төрле стандарт зурлык һәм көч вариантлары белән. Без шулай ук ​​клиент таләпләренә карап махсуслаштырылган карарлар өчен элемтәгә керә алабыз.

    Безнең компания профессиональ дизайн һәм симуляция үсеше өчен халыкара генераль программа тәэмин итә. Махсус электр энергиясе җитештерү экспериментлары көчнең ышанычлылыгын тәэмин итү өчен үткәрелде. Highгары төгәллек челтәр анализлары аның эш күрсәткечләрен сынау һәм экран тикшерү өчен кулланылды, нәтиҗәдә үч алу нәтиҗәсе.

    Безнең компания, төрле зурлыклар, төрле вәкаләтләр белән төрле вәкаләтләр белән төрле көчләр белән эшләнгән һәм эшләнгән. Клиентларны конкрет куллану таләпләре буенча сайларга һәм кулланырга рәхим итегез.
    Readле булмаган терминалга каршы торышчылар өслеге, теркәлгән резисторлар, миниатюрлаштырылган электрон компонент буларак да билгеле. Аның характеристикасы - аның традицион әйдәп барулары юк, ләкин SMT технологиясе аша район тактасына турыдан-туры схемага таратыла.
    Бу төр резистрация гадәттә кечкенә зурлыктагы һәм җиңел авырлыкның өстенлекләренә ия, югары тыгызлык схемасы дизайнын, урынны саклап, гомуми система интеграциясен яхшырта. Литсларның булмавы аркасында, алар шулай ук ​​югары ешлыклы заявкалар, сигнал комачаулау һәм тиешле спектакльне яхшырту өчен түбән паразитик индуктивлык һәм сыйдырышлыклары түбән.
    SMT куртыгын урнаштыру процессы чагыштырмача гади, җитештерү нәтиҗәлелеген күтәрү өчен автоматлаштырылган җиһазларда башкарылырга мөмкин. Аның җылылык тарату спектакле яхшы, алар эш вакытында резистор тудырган эсселекне эффектив киметергә һәм ышанычлылыкны яхшырта ала.
    Моннан тыш, бу төр резисторга югары төгәллек бар һәм катгый каршылыклы төрле заявкалар таләпләренә туры килә ала. Алар электрон продуктларда киң кулланылган, мәсәлән, пассив компонентлар, пассив компонентлар. Лочкалар, коаксиаль йөкләр һәм башка өлкәләр.
    Гомумән, SMT кургашсыз терминал резисторлары заманча электрон дизайнның, кечкенә зурлыгы, яхшы югары дәрәҗәдәге эш, җиңел урнаштыру аркасында заманча электрон дизайнның алыштыргысыз өлешенә әйләнде.


  • Алдагы:
  • Киләсе: