Чип бетү
Төп Техник төрләр:
Көчле көч: 10-500W;
Субстрат материаллар: бео, Алн, AL2o3
Номиналь каршылык бәясе: 50ω
Каршылык толерантлыгы: ± 5%, ± 2%, ± 1%
Эмпература коэффициенты: <150ppm / ℃
Операция температурасы: -55 ~ + 150 ℃
Рохлар стандарты: туры килү
Кулланылган стандарт: Q / RFTYTR001-2022
Көч(W) | Ешлык | Үлчәмнәр (берәмлек: мм) | СубстратМатериал | Конфигурация | Мәгълүмат таблицасы (PDF) | ||||||
A | B | C | D | E | F | G | |||||
10w | 6гз | 2.5 | 5.0 | 0.7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | ALN | 2 нче рәсем | Rft50n-10ct2550 |
10ггц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0.76 | 1.40 | Бео | 1 нче рәсем | Rft500ct0404 | |
12В | 12ГС | 1.5 | 3 | 0.38 | 1.4 | / | 0.46 | 1.22 | ALN | 2 нче рәсем | Rft50n-12ct1530 |
20w | 6гз | 2.5 | 5.0 | 0.7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | ALN | 2 нче рәсем | RFT50N-20КТ2550 |
10ггц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0.76 | 1.40 | Бео | 1 нче рәсем | Rft50-20tct0404 | |
30w | 6гз | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | ALN | 1 нче рәсем | RFT50N-30К0606 |
60W | 6гз | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | ALN | 1 нче рәсем | RFT50N-60CT0606 |
100W | 5ГС | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0.76 | 1.8 | Бео | 1 нче рәсем | Rft50-100ct6363 |
Чип бетү
Төп Техник төрләр:
Көчле көч: 10-500W;
Субстрат материаллар: бео, Альн
Номиналь каршылык бәясе: 50ω
Каршылык толерантлыгы: ± 5%, ± 2%, ± 1%
Эмпература коэффициенты: <150ppm / ℃
Операция температурасы: -55 ~ + 150 ℃
Рохлар стандарты: туры килү
Кулланылган стандарт: Q / RFTYTR001-2022
Сельдер уртак зурлыгы: спецификация таблицасын кара
(клиент таләпләренә карап көйләнә)
Көч(W) | Ешлык | Үлчәмнәр (берәмлек: мм) | СубстратМатериал | Мәгълүмат таблицасы (PDF) | ||||
A | B | C | D | H | ||||
10w | 6гз | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | ALN | Rft50n-10wt0404 |
8ГС | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | Бео | Rft50-104044 | |
10ггц | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0.6 | 1.0 | Бео | Rft50-1045 | |
20w | 6гз | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | ALN | Rft50n-20wt0404 |
8ГС | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0.9 | 1.0 | Бео | Rft50-20wt0404 | |
10ггц | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0.6 | 1.0 | Бео | Rft50-20wt5025 | |
30w | 6гз | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | ALN | Rft50n-30wt0606 |
60W | 6гз | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | ALN | Rft50n-60wt0606 |
100W | 3ГС | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | ALN | Rft50n-100wt8957 |
6гз | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | ALN | Rft50n-100wt8957b | |
8ГС | 9.0 | 6.0 | 1.4 | 1.1 | 1.5 | Бео | Rft50n-100wt0906С | |
150w | 3ГС | 6.35 | 9.5 | 2.0 | 1.1 | 1.0 | ALN | Rft50n-150wt6395 |
9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | Бео | Rft50-150wt9595 | ||
4хц | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | Бео | Rft50-150wt1010 | |
6гз | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | Бео | Rft50-150wt1010б | |
200w | 3ГС | 9.55 | 5.7 | 2.4 | 1.0 | 1.0 | ALN | Rft50n-200wt9557 |
9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | Бео | Rft50-200wt9595 | ||
4хц | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | Бео | Rft50-200wt1010 | |
10ггц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | Бео | Rft50-200wt1313b | |
250W | 3ГС | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | Бео | Rft50-250wt1210 |
10ггц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | Бео | Rft50-250wt1313b | |
300w | 3ГС | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | Бео | RFT50-300wt1210 |
10ггц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | Бео | RFT50-300wt1313b | |
400w | 2гц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | Бео | Rft50-400wt1313 |
500w | 2гц | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | Бео | Rft50-5wt1313 |
Чип Терезер резисторлары төрле энергиягә һәм ешлык таләпләренә нигезләнеп тиешле зурлыкларны һәм субсюль материалларны сайлау таләп итә. Субструктура материаллары, гадәттә, Бериллий оксиды, алюминий Нитридтан ясалган, һәм алюминий оксиды каршы һәм район бастыру аша.
Чип терминалы резисторларына нечкә фильмнарга яки калын фильмнарга бүленергә мөмкин, төрле стандарт зурлык һәм көч вариантлары белән. Без шулай ук клиент таләпләренә карап махсуслаштырылган карарлар өчен элемтәгә керә алабыз.
Surfaceгары технологияләр (СМТ) өслеге электрон компонент пакетының уртак формасы, гадәттә, район такталар өстендә кулланыла. Чип резисторлары - агымның бер төре, агымдагы схема импедансын һәм җирле көчәнешне чикләү өчен кулланылган бер төр.
Традицион розкастан аермалы буларак, пач терминалы резисторларга розитлар аша район тактасына тоташырга кирәк түгел, ләкин район тактасы өслегенә турыдан-туры таратыла. Бу төрү формасы компактны, спектакльне һәм район такталарының ышанычлылыгын яхшыртырга ярдәм итә.
Чип Терезер резисторлары төрле энергиягә һәм ешлык таләпләренә нигезләнеп тиешле зурлыкларны һәм субсюль материалларны сайлау таләп итә. Субструктура материаллары, гадәттә, Бериллий оксиды, алюминий Нитридтан ясалган, һәм алюминий оксиды каршы һәм район бастыру аша.
Чип терминалы резисторларына нечкә фильмнарга яки калын фильмнарга бүленергә мөмкин, төрле стандарт зурлык һәм көч вариантлары белән. Без шулай ук клиент таләпләренә карап махсуслаштырылган карарлар өчен элемтәгә керә алабыз.
Безнең компания профессиональ дизайн һәм симуляция үсеше өчен халыкара генераль программа тәэмин итә. Махсус электр энергиясе җитештерү экспериментлары көчнең ышанычлылыгын тәэмин итү өчен үткәрелде. Highгары төгәллек челтәр анализлары аның эш күрсәткечләрен сынау һәм экран тикшерү өчен кулланылды, нәтиҗәдә үч алу нәтиҗәсе.
Безнең компания, төрле зурлыклар, төрле вәкаләтләр белән төрле вәкаләтләр белән төрле көчләр белән эшләнгән һәм эшләнгән. Клиентларны конкрет куллану таләпләре буенча сайларга һәм кулланырга рәхим итегез.
Readле булмаган терминалга каршы торышчылар өслеге, теркәлгән резисторлар, миниатюрлаштырылган электрон компонент буларак да билгеле. Аның характеристикасы - аның традицион әйдәп барулары юк, ләкин SMT технологиясе аша район тактасына турыдан-туры схемага таратыла.
Бу төр резистрация гадәттә кечкенә зурлыктагы һәм җиңел авырлыкның өстенлекләренә ия, югары тыгызлык схемасы дизайнын, урынны саклап, гомуми система интеграциясен яхшырта. Литсларның булмавы аркасында, алар шулай ук югары ешлыклы заявкалар, сигнал комачаулау һәм тиешле спектакльне яхшырту өчен түбән паразитик индуктивлык һәм сыйдырышлыклары түбән.
SMT куртыгын урнаштыру процессы чагыштырмача гади, җитештерү нәтиҗәлелеген күтәрү өчен автоматлаштырылган җиһазларда башкарылырга мөмкин. Аның җылылык тарату спектакле яхшы, алар эш вакытында резистор тудырган эсселекне эффектив киметергә һәм ышанычлылыкны яхшырта ала.
Моннан тыш, бу төр резисторга югары төгәллек бар һәм катгый каршылыклы төрле заявкалар таләпләренә туры килә ала. Алар электрон продуктларда киң кулланылган, мәсәлән, пассив компонентлар, пассив компонентлар. Лочкалар, коаксиаль йөкләр һәм башка өлкәләр.
Гомумән, SMT кургашсыз терминал резисторлары заманча электрон дизайнның, кечкенә зурлыгы, яхшы югары дәрәҗәдәге эш, җиңел урнаштыру аркасында заманча электрон дизайнның алыштыргысыз өлешенә әйләнде.